Abmessung (L x B x H): 1.258 mm x 1.152 mm x 165 mm

Gewicht: 30.067 Gramm

Legierung: Al Si 10 Mn Mg

Beschreibung:
Die Gehäuse Unterteile (UT) als zentrale Bauteile eines Hochvoltspeichers müssen über die gesamte Lebensdauer diverse hohe Funktionsanforderungen erfüllen.

Konstruktive, gießtechnische und formtechnische Anforderungen:
In der Regel sind DG-Gehäuse für Hochvoltspeicher dieser Dimension zweiteilig. Um Kostenpotenziale auszuschöpfen, wurde dieser Hochvoltspeicher SP52 erstmals einteilig konzipiert. Werkzeugseitig hat sich ein 2-Platten-Konzept durchgesetzt, da es Vorteile bei Kreislaufmaterial, optischer Gießlaufführung, Werkzeuggewicht und Ausführung der Druckgussmaschine bot.
Bei der Auslegung des Werkzeugs wurde insbesondere berücksichtigt:

• Minimalmengenauftrag von Trennmittel,
• die langen Fließwege in der Form,
• die Wärmebehandlung der DG-Bauteile
• die Schweißfähigkeit der DG-Bauteile
• die Crashfähigkeit der DG-Bauteile
• Maßanforderungen der DG-Bauteile

Zusätzlich spielt die Dichtigkeit (Porenfreiheit der bearbeiteten Gehäuseflansche) des zusammengebauten HVS eine große Rolle.

Gründe für die Herstellung in Druckguss:
Vorteile beim Druckgusshybridgehäuse gegenüber konventioneller Blechbauweise:

• Reduzierung von 16 Einzelteilen
• Reduzierung Dichtschweißnahtlänge um über 50%
• 6 kg Gewichtsreduzierung
• Deutliche Einsparung bei Herstellkosten

Gründe für die Prämierung:

• Ganzheitlicher Ansatz für wirtschaftlich beste Lösung
• Einteilige Ausführung
• Substitution von 16 Einzelteilen sowie Reduktion Dichtscheißnahtlänge und Gewicht gegenüber Blechbauweise
• Lange Fließwege
• Crash-relevantes Bauteil